FQD5N20LTM
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Fairchild/ON Semiconductor FQD5N20LTM
| Artikelnummer: | FQD5N20LTM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Fairchild/ON Semiconductor FQD5N20LTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD5N20LTM.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D-Pak Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 5V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc) FQD5N20LTM Einzelheiten PDF [English] FQD5N20LTM PDF - EN.pdf -
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